三星电子与1938年成立于朝鲜大邱，是世界上最大的电子工业公司。李秉喆是三星半导体创始人，现任社长兼CEO是崔志成。在世界上最有名的100个商标的列表中，三星电子是唯一的一个韩国商标，是韩国民族工业的象征。三星电子(Samsung Electronics)作为大韩民国电子产品生产企业，是韩国规模最大的企业，同时也是三星集团子公司中规模最大且在国际市场处于领先地位的企业。该公司在全世界共65个国家拥有生产和销售法人网络，员工数多达157,000人，2009年超越惠普（HP）跃升为世界最大的IT企业，其中LCD TV、LED TV和半导体等产品的销售额均在世界上高居榜首。目前在国际市场上，三星电子生产的LED TV及各种电视产品、Galaxy S（i9000）手机等受到消费者的青睐。不仅如此，三星电子的存储器半导体广泛应用于世界各地的各种电子产品。三星电子在电视领域创造的佳绩可谓是独一无二的，截至2009年，连续四年保持电视销售量第一的地位，2010年度若无特殊情况，将连续5年在世界上保持领先地位。据业界人士分析，三星电子之所以能够长期捍卫榜首的地位，正是得益于产品的性能、设计以及尺寸等要素，企业不断追求创新，推出引导时代潮流的新产品。
深圳市安富昌科技有限公司为三星半导体代理商，主营SAMSUNG一级代理商主营SRAM、DRAM、Flash等存储IC公司简介: 三星电子公司七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展了64KDRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。
主营产品: 三星电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。
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作为全球MRMORY第一大厂的三星，在DRAM方面一直保持着领先的水品，生产工艺，技术成熟度以及市场占有率都是市场公认的。在DDR2产品线方面，三星产品线齐全，容量方面：三星从2GB-256M容量的都有生产，产能稳定，此外在速度方面，其对应的400MHZ-800MHZ(555)都有生产。在工艺方面，三星已经在2007年第三季度就实现了68纳米的生产技术，其产品已经量产。在销售额方面，2007年的年终DRAM盘点，三星位居榜首，市场占有率为27.7%，紧随其后的是韩国的现代和奇梦达以及美光代理商。
SAMSUNG存储芯片命名规则
下面简单对三星的颗粒编号作一个介绍：编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X
主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。第2位——芯片类型4，代表DRAM。第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位——容量，容量相同的颗粒采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。第6、7位——表示颗粒位宽，16代表16位；32代表32位；64代表64位。第11位－－空格，没有实际意义。第12、13位――为速度标志。第14、15位——芯片的速率数据。
UtRAM||Memory||K1DRAM||Memory||K4Async Fast SRAM||Memory||K6Sync SRAM||Memory||K7NOR Flash||Memory||K8NAND Flash||Memory||K9OneNAND||Memory||KFMOVI NAND/MCP||Memory||KMMemory Module||M3RIMM||Memory Module||MRMicrocontroller||System LSI||S3MOS||System LSI||S5DDI||System LSI||S6CDRAM||System LSI||S8
SAMSUNG代理商 ARM 选型列表SAMSUNG ARM7型号内核速度特性封装S3C44B0ARM7TDMI66MHz8KB cache, FP/EDO/SDRAM Control, DSTN LCD controll UART IIC, IIS PWM/Watch Dog Timer, 10bit ADC, RTC160LQFP160FBGASAMSUNG ARM9型号内核速度特性封装S3C2410ARM920T200MHz, 266MHzMMU, NAND Flash Boot Loader, ROM/SRAM/SDRAM Control, STN/TFT LCD Control, Touch Panel Control, MMC/SD Card, USB, 10bit ADC272FBGAS3C2416ARM926EJ400MHz2D Graphic Engine / DDR2 Support / HW 8bit ECC for MLC NAND330FBGAS3C2440ARM920T300MHz, 400MHz2410s Feature + Camera Interface289FBGASAMSUNG ARM11型号内核速度特性封装S3C6410ARM1176533MHz，667MHz，800MHz3D Accelerator / HW Multimedia424FBGA