半导体制造设备领域是大基金二期投资重点，券商研报指出，半导体刻蚀设备的重要性仅次于光刻机，机构预测2025年全球市场规模超1000亿元，梳理受益上市公司名单（附图）。
财联社3月19日讯（编辑 王舒蕾）江苏省电子信息产业处近日下发《关于组织召开大基金二期项目投资对接会的预备通知》，将邀请大基金二期战略发展部有关负责人就大基金二期2023年投资情况、形势、任务等作说明和沟通。
半导体制造设备领域和材料领域是大基金二期投资的重点。近期大基金二期入股长江存储，持股比例达到12.2416%，认缴额达到128.87亿元，华鑫证券认为后续大基金二期有望助力半导体扩产及国产化推进，国产设备材料厂商将充分受益。
财通证券分析师张益敏指出，刻蚀设备是重要性仅次于光刻机的半导体设备。根据SEMI统计，总额达到875亿美元规模的晶圆制造设备市场中，光刻，刻蚀，薄膜沉积分别占24%，20%，20%。而随着NAND闪存进入3D、4D时代，要求刻蚀技术实现更高的深宽比，刻蚀设备的投资占比显著提升，从20%提高至50%。
同时，光刻机由于波长的限制不能直接加工小于14纳米的微观结构，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜组合的“双重模板”和“四重模板”工艺技术重复多次来实现。逻辑制程中的刻蚀步骤数量大幅增加，进一步提升刻蚀技术及相关设备的重要性和需求量，刻蚀机市场规模的增长速度远高于其他设备。
据方正证券，全球刻蚀设备市场规模2009年为24亿美元，2023年达115亿美元，复合年增长率近19%。受终端应用市场蓬勃发展、及半导体制造技术升级驱动，SEMI预测2025年全球刻蚀设备市场规模将增长至155亿美元（约合超1000亿元），CAGR约为5%。
目前的半导体刻蚀工艺以干法刻蚀技术为主。干法刻蚀设备包括ICP（电感耦合等离子体）刻蚀设备和CCP（电容耦合等离子体）刻蚀设备，干法刻蚀设备根据刻蚀材料的不同又分为金属刻蚀、硅刻蚀、介质刻蚀三种类型。中微公司领军国内介质刻蚀，北方华创则领军国内硅刻蚀。
刻蚀设备作为半导体产线的核心装备之一，其结构复杂程度仅次于光刻。主流刻蚀设备可以分为主体和附属设备两大部分，主体包括EFEM（设备前端）、TM（传输模块）、PM（工艺模块）三大模块。工艺模块是刻蚀设备的核心模块，主要可分为反应腔系统，射频系统，静电卡盘与电极系统，真空压力系统，气路系统，终点检测系统等几个主要部分。
刻蚀设备行业集中度高，行业壁垒显著。全球刻蚀机市场长期被泛林半导体、东京电子、应用材料三大巨头占据。2023年泛林半导体、东京电子和应用材料合计占据90%以上的全球刻蚀机市场份额，日立高新和细美事紧随其后分别占3.45%和2.53%。国内厂商中，中微公司占比1.37%，北方华创占比0.89%，屹唐股份占比0.10%。
在国内刻蚀机市场，泛林半导体依旧保持领先地位，2023年市占率52%，中微公司排名第二，占据20%市场份额。
财通证券指出，由于中国国内晶圆制造企业无法顺利采购最新型的极紫外（EUV）光刻机，国内逻辑制程的扩产主要围绕28纳米左右的成熟制程进行。国内刻蚀设备企业在成熟制程领域已有比较充分的技术积累和工艺经验，能够完成更大范围的国产替代，潜在市场份额更大。由于海外设备的供应风险，国内晶圆厂将更依赖国产刻蚀设备，为国产刻蚀设备迈向高端提供充分机遇。
上市公司方面，北方华创为国内ICP硅刻蚀设备龙头，等离子干法刻蚀机是公司的核心产品，在8寸晶圆刻蚀设备领域，公司已实现全覆盖。中微公司是CCP介质刻蚀领军企业，已成功打入台积电5纳米生产线的后端工艺部分，率先实现国产刻蚀设备在高端制程领域的突破。
此外，目前刻蚀设备的国产化率程度在20%以上，浙商证券预计2023年国产化率将持续走高，国内设备企业自主可控意识提升的情况下，国产刻蚀设备零部件企业也有望实现规模技术双重突破。
在刻蚀设备零部件领域，财通证券建议关注江丰电子、英杰电气、富创精密、新莱应材、国力股份、新松机器人、华卓精科、万业企业、神工股份。
特别