光刻掩模版，别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”，一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形，实现对光线的遮挡或透过功能，是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。我们利用光罩可以实现微电子工艺中的图形传递。光刻掩模版的加工技术主要有两种：其一为激光直写技术；其二为电子束直写部分，两种技术区别在于光源不同，实现的精度有所区别。
掩模版种类及其应用范围普通版 ：一般使用苏打玻璃或者石英，常见2寸到10寸，线宽一般在1um以上，主要用户接触式曝光机，转移图形与版图尺寸为1:1，实现同比例的图形转移。
Stepper版：一般使用石英版，常见为5寸和6寸版，线宽一般在1um以上，主要用于Stepper曝光机台，转移图形与版图尺寸实际比例一般是4:1或者5:1，实现将版图图形缩小4~5倍之后投射于目的片上。
纳米压印版：一般用石英版，刻蚀其表面的金属形成沟槽和透光不透光的组合，尺寸一般需要5寸及以上，采用电子束直写的技术实现表面nm图形的转移，一般线宽在200~800nm左右，借助掩模版对光刻胶的压力、同时辅助紫外曝光，最终实现纳米级图形的转移。
金属掩模版：一把采用不锈钢，在不锈钢表面通过激光加工或者腐蚀的方式，实现表面镂空的图形设计，最小线宽一般要50um，能够用于电子束蒸发中，用于电极图形的转移。
文章最后附有推介版图尺寸类型对应能做到的精度及线宽，为大家提供参考。
光刻掩模版加工工艺介绍及相关设备
电子束直写 Vector Scan（莱卡）
技术参数与能力：
工作电压：50kV
电流密度：10 A/cm2
扫描区域：150 mm*150mm
套刻精度：12 nm(3ơ)
条宽均匀：13 nm(3ơ)
版图尺寸：只可以制作6025的石英版掩模
最小条宽：90 nm+-12 nm
激光束直写（美国） Raster Scan
技术参数与能力：
扫描区域：150 mm*150mm
套刻精度：12 nm(3ơ)
条宽均匀：15 nm(3ơ)
版图尺寸：6025、6012、5009的石英版掩模版
最小条宽：0.8 um+-50nm
无掩膜激光直写光刻机
技术参数与能力：
最小条宽：0.8 um+-50nm
工作波长：405 nm
分辨率：0.8 um
条宽均匀度：150 nm(3ơ)
套刻精度：150 nm
版图尺寸：4~9寸石英、苏打玻璃掩模版、3~8寸硅片
多腔室电感耦合等离子体刻蚀机ICP
技术参数与能力：
刻蚀：Cl基刻蚀腔：刻蚀Cr （已开发）
F基刻蚀腔： 刻蚀MoSiX （已开发）
样品尺寸：5寸、6寸
刻蚀SiO2、SiNx、Cr等金属的刻蚀
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