希望这些内容能解答我常被问到的问题：笔记本内存调节的意义何在？怎样才能发挥笔记本内存条的性能？究竟哪些笔记本内存最适合折腾？
一.内存性能的意义在站内的其它折腾内存的贴子下，常常有人会问：如此折腾内存，究竟会带来多大提升呢？诚然，此前我也常常告诉普通用户们“内存性能很难感知，非性能需求可不多关注”。然而，对于核显用户&重度网游玩家&性能取向发烧友而言，内存性能带来的差距是不可小视的。
测试平台CPU：Ryzen R9-5900HX @45W
显卡：RTX3070 @125W / Vega 8 @2.1Ghz
测试应用：极限竞速：地平线5、3DMark Timespy
配备3200Mhz CL20内存条时将内存时序降至CL17后 CPU项明显提升3200Mhz CL22 2BG内存的核显得分3200Mhz CL20 4BG内存的核显得分将4BG内存降至CL17时序后的核显得分在地平线5的测试中，仅仅降低一些内存时序，CPU项目就提升了10%—20%。而在3DMark项目上，相较普通2BG内存，高性能内存不仅提升了15%的核芯显卡分数，更增加了超过25%的CPU项目得分！
因此，对于重度网游玩家、核显游戏用户和性能狂热爱好者们而言，一套优秀的内存，将对整机性能的提升大有帮助。
二.如何挖掘笔记本内存潜力？AMD锐龙CPU：
smokelessCPU研究了修改BIOS内隐藏选项的方法，并制作了“UniversalAMDFormBrowser”发布在了github上。下面主要介绍其使用方法。
首先，将文件解压至FAT32格式的U盘中。随后重启进入BIOS。
在BIOS内Boot项目中关闭Secure Boot，并打开USB Boot（如果有的话）。将USB设备移动至第一启动顺序。保存后重启即可。
测试平台的界面，不同品牌间有较大不同进入程序，选择DeviceManager，其后按AMD CBS—UMC Common Options—DDR4 Common Options（不同品牌的步骤可能略有不同）找到DRAM Controller Configuration，将Cmd2T改为1T、GearDownMode关闭。
4000系锐龙CPU还可以尝试在AMD Overclocking中直接修改内存时序、频率（不高于3600Mhz）。如遇无法启动，可按笔记本厂商提供的重置BIOS方法进行重置（一般是拔电池）
5000系锐龙只能通过SPD烧录器（可以参考站内文章）修改内存，切不可修改BIOS中的DRAM Overclock与Pstate项目，否则将会无法启动。
INTEL CPU：
部分笔记本拥有“内存超频”选项，但一般只是将内存由2933Gear1修改为3200Gear2，对于CPU性能而言提升并不大。
若要修改内存时序，可以下载RU.EFI，配合UEFITool等工具进行解锁，可以参考这位大佬的帖子，前提是需要设备支持XTU！部分品牌笔记本原生解锁内存调节（如MSI），可以方便地调节时序乃至频率。
INTEL平台同样可以使用SPD烧录器修改内存时序（可参考站内文章），但需要注意的是，不可在未解锁BIOS时将时序调整到CL18及以下，否则可能无法启动。
三.市售内存实测1.金士顿FURY骇客神条 3200Mhz 8GX2套条KF432S201BK2/16
颗粒：镁光D9VPP
布局：双面共8颗粒（4BG/1RANK）
贴纸很拉风，可惜是塑料的上机图骇客神条是我在前两篇文章中较为推荐的内存条。归根结底，不仅是金士顿的售后保障，更重要的是——骇客神条是市售唯一的原生CL20内存条！其原生时序为CL20-22-22-42，当之无愧位列榜单第一。那么其性能挖掘潜力如何呢？
核显有了明显提升CPU险些破万～最终结果停留在CL18-22-15-39，Trfc544。略显怪异的时序分布是镁光D9的颗粒特性使然，而最终成绩中规中矩，并不突出。
尽管骇客神条的超频潜力仅为中等，然而鉴于其为市售唯一非XMP 原生CL20颗粒内存，我建议希望提高性能，却又无法修改内存时序的用户们选择它，其物有所值。对于能够以刷写SPD、修改BIOS等方式更改时序的性能发烧友们来说，有比骇客更好的选择。
2.三星M471A1K43DB1-CWE颗粒：三星新D-die
布局：双面共8颗粒（4BG/1RANK）
丝印上的倒数第五位字母，便为颗粒代号。上机图这是我机器的原装内存条，原生时序为CL22-22-22-52。
三星颗粒的型号非常容易辨认：颗粒丝印上的倒数第五位字母，便是颗粒代号。内存本体看上去平淡无奇。事实上我最初也是这么认为的，于是在我购买了骇客内存条后，便将它换下打入冷宫.恰逢测试便拿出来对比，测试结果令人大跌眼镜
先说结论：核显测试下，总分时列3DMark世界第二！
世界最佳分数时为1701分独显分数下CPU破万地平线5再创新高最终成绩为CL17-17-16-36，Trfc 480。想不到三星新D-die如此强悍.可谓“小DJR”了。
三星新D-die主要以笔记本原厂配备为主，也可在零售三星内存上见到。如果你的原厂内存与我同款，那么恭喜荣获一等奖～（特等奖当然是CJR/DJR啦，其后将领略它的实力）
但鉴于三星品牌内存较高的零售价格、相对较短的保修时间（三年有限质保），无论对发烧友还是普通用户而言，在选购零售内存条时，都应该有更好的选择。值得注意的是，一些生产日期在2023年以前的内存同样为“三星D-die”，但它们与三星新Ddie相去甚远。上一代D-die的性能与下方的三号选手更接近些。
3.三星M471A1K43EB1-CWE颗粒：三星E-die
布局：双面共8颗粒（4BG/1RANK）
这套内存条来自联想拯救者～编号是不是和二号选手很像？实际上内在大不同！这套内存来自联想Y9000P，如果你的内存编号和它一致，那么你可能也是同款内存！
三星E-die并没有新D-die那样厉害的性能。事实上，E-die很难以CL18时序过测，即便艰难通过TM5测试，其性能也是这么多内存里垫底的。
（过于丢人 就不上图了）
E-die常可以在海鲜市场的拆机内存上见到。对于囊中羞涩却希望扩展容量的用户而言，E-die是可以考虑的选择——它们价格低廉，在不进行时序压制/超频时，E-die同其它内存条没有任何性能差距。
如果你是一位性能爱好者，而你的原装内存为三星E-die，那还是另请高明吧。
4.镁光Ballistix铂胜 3200Mhz 16GX2套条BL16G32C16S4B.M16FE1
颗粒：镁光C9BLD（台风识别为C9BJZ）
布局：双面共16颗粒（4BG/2RANK）
全金属散热片是实力的象征隐约可见C9BLD丝印作为原厂XMP 1.35V CL16的强劲选手，在镁光C9颗粒的加持下，Ballistix的数据不可谓不强悍。同时，它也是所有参测内存中最为昂贵的
据说在AMD平台下，2Rank内存拥有更加优秀的性能。我花重金购入它就是为了弄明白：铂胜+2Rank，实力究竟如何？拭目以待。
即便容量更大，也似乎并没有网传的性能增益咋一看好像成绩还不错？非也。事实上，图示分数下的时序均无法通过TM5 Absolute测试，只能进一步放松时序。然而，即便处在与FURY骇客相同的主时参+Trfc560下，铂胜依然无法通过测试，此时3DMark分数已低于骇客神条。尽管有着更大的容量，但网传的2Rank性能优势也没有任何体现。（也可能是我脸黑抽到了雷？）
铂胜表现不佳的原因是多方面的：镁光C9较为依赖高电压，在普通笔记本1.2V不可调电压下无从施展；2Rank内存过多的颗粒限制了性能潜力，并且没有带来网传的性能增益。同时，