IFWS & SSLCHINA 2023
近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2023）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。
▲中山大学电子与信息工程学院张佰君教授
III族氮化物材料体系具有红外到深紫外光谱覆盖范围大、能带隙宽、电子饱和速度高、电击穿场强、极化效应强等独特性能，从光电到电力电子领域，应用范围广泛。近年来，III族氮化物材料在交叉学科中的应用越来越受到研究人员的关注。
中山大学电子与信息工程学院教授张佰君做了”单颗电驱动金字塔结构InGaN/GaN Micro-LED及其在光遗传学中的应用“的主题报告。
在过去的十年中，GaN基器件在学术和商业上都取得了很大进展，例如固态照明 (SSL) 和显示应用中的 LED、射频放大应用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)、功率电子器件中的功率电子器件等。
报告指出，GaN基器件具有体积小、生物相容性好等优点，未来将在生物医学领域得到广泛应用。报告介绍了电驱动的单棱锥GaN基微型LED，以及基于GaN的集成生物神经探针的研究成果，研究显示该方向在光遗传学领域具有应用潜力。
嘉宾简介：张佰君教授，主要研究高速、高功率的 InGaAsP/InP 半导体激光器。1998年至2000年在中国科学院半导体研究所从事博士后研究，主要从事高速半导体激光器的封装和单片集成分布式反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）的制造调制器。2000年加入日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心，任日本学术振兴会（JSPS）特约研究员。此后一直从事GaN材料与器件研究。他的工作包括发光二极管 (LED) 和电子设备。2006年加入广州中山大学光电材料与技术国家重点实验室，任教授。他目前的兴趣集中在 GaN 基半导体材料的生长和器件制造，包括 GaN 基光电器件、pH 传感器、太赫兹器件和集成光极。
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