从电路可以看出，电感L和电容C组成低通滤波器，此滤 波器设计 的原则是使 us（t）的直流分量可以通过，而抑制 us（t） 的谐波分量通过;电容上输出电压 uo（t）就是 us（t） 的直流分量再附加微小纹波uripple（t） 。
当sw1闭合、sw2断开时，电源Vin给电感充电，并同时向负载供电，此时电感上的电流增大;
当sw1断开、sw2闭合时，由电感来维持输出电流，电感处于放电过程;
若在频率比较大的情况下，输出电流可看作两个阶段：即线性上升和线性下降两个阶段。
由上可知，电感电流又直流和纹波电流两部分组成;在CCM模式，电感电流随负载电流变化，但纹波分量不变，由此可以看出负载变化时占空比不变。
当负载减小到使电感电流从零开始时，此为CCM与DCM转换的临界状态。进一步减小输出负载，此时不需要很大的电感电流维持输出功率，电感开始减小，占空比也减小，而电感也在开关管下次导通之前电流降为零。电路进入DCM模式，在此模式下，占空比随着负载变化而变化。
boost升压电路工作原理：
boost升压电路是一种开关直流升压电路，它可以是输出电压比输入电压高。
基本电路图见图一：
假定那个开关（三极管或者mos管）已经断开了很长时间，所有的元件都处于理想状态，电容电压等于输入电压。
下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路
充电过程
在充电过程中，开关闭合（三极管导通），等效电路如图二，开关（三极管）处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关。随着电感电流增加，电感里储存了一些能量。
放电过程
如图，这是当开关断开（三极管截止）时的等效电路。当开关断开（三极管截止）时，由于电感的电流保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值变为0。而原来的电路已断开，于是电感只能通过新电路放电，即电感开始给电容充电，电容两端电压升高，此时电压已经高于输入电压了。升压完毕。
说起来升压过程就是一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。
如果电容量足够大，那么在输出端就可以在放电过程中保持一个持续的电流。
如果这个通断的过程不断重复，就可以在电容两端得到高于输入电压的电压。
一些补充1 AA电压低，反激升压电路制约功率和效率的瓶颈在开关管，整流管，及其他损耗（含电感上）。
1.电感不能用磁体太小的（无法存应有的能量），线径太细的（脉冲电流大，会有线损大）。
2 整流管大都用肖特基，大家一样，无特色，在输出3.3V时，整流损耗约百分之十。
3 开关管，关键在这儿了，放大量要足够进饱和，导通压降一定要小，是成功的关键。总共才一伏，管子上耗多了就没电出来了，因些管压降应选最大电流时不超过0.2--0.3V，单只做不到就多只并联。..。..。
4 最大电流有多大呢？我们简单点就算1A吧，其实是不止的。由于效率低会超过1.5A，这是平均值，半周供电时为3A，实际电流波形为0至6A.所以咱建议要用两只号称5A实际3A的管子并起来才能勉强对付。
5 现成的芯片都没有集成上述那么大电流的管子，所以咱建议用土电路就够对付洋电路了。
以上是书本上没有直说的知识，但与书本知识可对照印证。
开关管导通时，电源经由电感-开关管形成回路，电流在电感中转化为磁能贮存；开关管关断时，电感中的磁能转化为电能在电感端左负右正，此电压叠加在电源正端，经由二极管-负载形成回路，完成升压功能。既然如此，提高转换效率就要从三个方面着手：1.尽可能降低开关管导通时回路的阻抗，使电能尽可能多的转化为磁能；2.尽可能降低负载回路的阻抗，使磁能尽可能多的转化为电能，同时回路的损耗最低；3.尽可能降低控制电路的消耗，因为对于转换来说，控制电路的消耗某种意义上是浪费掉的，不能转化为负载上的能量。
具体计算
已知参数：
输入电压：12V --- Vi
输出电压：18V ---Vo
输出电流：1A --- Io
输出纹波：36mV --- Vpp
工作频率：100KHz --- f
1：占空比
稳定工作时，每个开关周期，导通期间电感电流的增加等于关断期间电感电流的减少，即Vi*don/（f*L）=（Vo+Vd-Vi）*（1-don）/（f*L），整理后有
don=（Vo+Vd-Vi）/（Vo+Vd），参数带入，don=0.572
2：电感量
先求每个开关周期内电感初始电流等于输出电流时的对应电感的电感量
其值为Vi*（1-don）/（f*2*Io），参数带入，Lx=38.5uH，
deltaI=Vi*don/（L*f），参数带入，deltaI=1.1A
当电感的电感量小于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加变化较明显，
当电感的电感量大于此值Lx时，输出纹波随电感量的增加几乎不再变小，由于增加电感量可以减小磁滞损耗，另外考虑输入波动等其他方面影响取L=60uH，
deltaI=Vi*don/（L*f），参数带入，deltaI=0.72A，
I1=Io/（1-don）-（1/2）*deltaI，I2= Io/（1-don）+（1/2）*deltaI，
参数带入，I1=1.2A，I2=1.92A
3：输出电容：
此例中输出电容选择位陶瓷电容，故 ESR可以忽略
C=Io*don/（f*Vpp），参数带入，
C=99.5uF，3个33uF/25V陶瓷电容并联
4：磁环及线径：
查找磁环手册选择对应峰值电流I2=1.92A时磁环不饱和的适合磁环
Irms^2=（1/3）*（I1^2+I2^2-I1*I2），参数带入，irms=1.6A
按此电流有效值及工作频率选择线径
其他参数：
电感：L 占空比：don
初始电流：I1 峰值电流：I2 线圈电流：Irms
输出电容：C 电流的变化：deltaI 整流管压降：Vd