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dram内存分别是几纳米

dram内存分别是几纳米?

韩国存储厂商SK海力士宣布,公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。

据介绍,公司旗下第四代 10 纳米級(1a)制程8Gigabit(Gb)LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM,与上一代产品相比,新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%,并能将功耗降低20%。

在更早之前,三星已经率先量产了使用EUV光刻机生产的DRAM,在过去多年稍显保守的美光也宣布,将在2024年生产基于EUV的DRAM。至此,三大DRAM大厂都跨入了EUV时代。

你好,DRAM内存的工艺节点(制造工艺)不是以纳米为单位来计算的,而是以纳米级别的尺寸为基础进行制造的。例如,目前常用的DRAM内存工艺节点有14nm、10nm、7nm等。但随着技术的不断进步,DRAM内存的工艺节点也在不断缩小,未来可能会出现更小的工艺节点。

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