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大族技术讲堂半导体Low-K晶圆激光开槽工艺技术方案<晶圆是什么材质做的>

大族技术讲堂半导体Low-K晶圆激光开槽工艺技术方案

Low-K材料简介

在半导体制程中,Low-K是相对于二氧化硅具有小的相对介电常数的材料(主要有SiOF,SiOC以及几种有机Low-K材料等);其主要应用在0.13um及以下工艺技术中,配合铜互连工艺技术,目的是减小电路的寄生电容(Cu是为了减小寄生电阻,因其电阻率较Al小很多),从而实现更快的开关速度和更低的散热量。因此,Low-K工艺是目前业界发展的重点,特别是在逻辑运算,存储等领域。Low-K材质在芯片中的位置是处于金属互连层之间。

 

Low-K材料加工方法

Low-K材料及铜质材料,难以用普通的金刚石刀轮进行切割加工,原因是金刚石刀轮直接作用会导致Low-K材料的飞溅和外观不良(如崩缺,裂纹,钝化/金属层掀起等现象)。解决此问题需先去除晶圆表面的Low-K以及铜质金属层,之后再用刀轮切割衬底材料。

现在市场上主流的Low-k去除技术是激光开槽技术。激光开槽技术是将短脉冲激光聚焦到晶圆表面,脉冲激光被Low-K层和铜质材料持续吸收,当吸收一定能量后,Low-K层和铜质材料会被瞬间汽化或熔化,从而达到材料去除的效果。

 

创新性Low-K材料激光加工工艺方案

双细线加工 + 双宽线开槽(Dual Narrow trenching+ Dual Wide Laser Scan):用Dual Narrow方式先在切割道内距边缘10μm处切两条8~10μm左右宽度的保护槽;再使用Dual Wide方式,根据切割道宽度,开槽25~60μm(如下图)。

*常规激光切割功能选择:双细线间距可调范围:0~80μm,宽线宽度可调范围:15~50μm(可根据实际需求定制光路);

*4种切割功能随意组合,高精度快速切换(如下图);

*加工能力:

加工速度250~600mm/s 

开槽宽度25~60μm(可定制)

晶圆厚度50~760μm 

开槽深度≥10μm

可加工切割道宽度≥35μm 

热影响区域≤2μm

 

Low-K激光开槽工艺优势

1、激光脉冲宽度(皮秒/ps)

热影响

皮秒激光的先天优势,可将热影响区域降至2μm以内。

 

 

激光开槽SEM图像

终端客户针对TI(德州仪器)的某些产品做过对比,有些产品的PATTERN采用UV laser方案很容易爆点,有些位置(淡绿色非金属区)会在表面形成炸点,无法开槽。

我司采用Green Laser方案的设备均不会出现。

 

槽形

紫外纳秒激光在开槽标准参数重频为40KHz的条件下,底部有1~2μm锯齿状的起伏。

 

 

绿光皮秒激光开槽所用重频为400~500KHz。光斑重叠率增大,底部均匀性提高,而且效果一致性会更高。

 

激光开槽3D形貌分析,平均深度12~13μm,呈U形

 

激光开槽FIB图像

2、激光波段(绿光)

 

Green Laser开槽时在Metal Layer不产生侧面金属结晶的主要原因:

1、金属对Green Laser吸收率较UV Laser为佳;

2、皮秒的高频短脉冲激光形成的冷加工方式使得Narrow beam开槽时不易侧面金属结晶。

3、独创的激光光束传输系统

平顶光(Top Hat)整形方案:通过软件对旋转电机角度的精确控制,实现不同尺寸Top Hat的随意切换,进而实现不同宽度的激光开槽作业,同时亦能保证开槽底部的平整性。

工艺效果对比

绿光皮秒激光开槽在其它材料以及领域中的应用前景

特殊规格的绿光皮秒激光器+特制的光束整形系统(已申请国家发明专利)不仅可以高质量、高效率的解决Low-k晶圆片的表面开槽问题,在其它材料以及微加工领域中也有着巨大的应用潜力。例如:利用粗线宽度的可调整性,可以实现多种材料的快速、有效去除(e.g. LED晶圆片背金层、晶圆片表面粘结胶层等);利用细线间距和粗线宽度的可调整性,可同时实现双光点单轨、双轨以及四轨加工,成倍的提升激光加工效率;也可利用皮秒级绿光激光器的加工特性,对玻璃、陶瓷以及各种金属材料进行高效、高质量的激光加工作业。

灵活可调、稳定高效是我们基于low-k激光开槽工艺技术方案的出发点和落脚点,这点亦得到了客户的极大认可。我们将秉承着创新的理念,带着我们的方案为中国半导体封装领域贡献出属于自己的一份力量。

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