从150nm到3nm:工艺节点的演变
在芯片制造的早期,工艺节点与晶体管的栅极长度(Gate Length)是直接对应的。例如,在150nm的时代,芯片工艺节点就是150nm,晶体管的栅极长度也是150nm。然而,随着技术的进步,这种简单的对应关系逐渐被打破了。
进入130nm工艺节点时,晶圆厂开始采用等效工艺的概念。所谓等效工艺,即工艺节点的命名并不再直接反映栅极长度,而是反映出晶体管密度和性能的提升。例如,28nm工艺节点的实际栅极长度可能是65nm左右,14nm工艺节点的实际栅极长度可能小于30nm。
3nm工艺背后的真相
近期,全球领先的光刻机制造商ASML在公布其EUV(极紫外光刻)光刻机路线图时,揭示了各大晶圆厂的实际工艺数据。ASML的数据显示,当前所谓的3nm工艺,实际的金属半节距(Metal Pitch)约为23nm,1nm工艺的金属半节距约为18nm。
那么,为什么3nm工艺节点的实际金属半节距会是23nm呢?
首先,我们需要了解金属半节距的概念。金属半节距是指相邻金属线之间的距离的一半,它是衡量芯片工艺精细程度的重要指标。传统的栅极长度(Gate Length)只反映了晶体管的一个维度,而金属半节距则涵盖了